国家存储器基地项目二期开工
昆明在线 发布时间:2020-06-24
(原标题:国家存储器基地项目二期开工 有望带动设备投资(附股))
6月20日,由长江存储实施的国家存储器基地项目二期(土建)在武汉东湖高新区开工。该项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,一期项目规划产能每月10万片,二期将达到20万片,总体投资240亿美元。项目一期于2016年底开工建设,32层、64层存储芯片产品现已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。
华创证券指出,存储器是信息系统的基础核心芯片,最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺,也是中国进口金额最大的集成电路产品。近些年内存、固态硬盘、显卡价格屡现上涨,根源在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。国产化将降低国内半导体产品成本,并提升上游设备公司订单。
北方华创的刻蚀设备、PVD设备、清洗设备此前已获长江存储订单。
精测电子曾中标长江存储集成式膜厚光学关键尺寸量测仪。
新莱应材生产的超净管道阀门是半导体设备及厂房中不可或缺的“血管”。
其他公司:太极实业、中微公司。
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